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长鑫存储宣称内存突破,领先三星与海力士

长鑫存储总裁曹堪宇在上海行业会议上称,公司计划年底前推出采用 4F² 设计的数据中心服务器内存芯片,若成功将先于三星和 SK 海力士实现该突破。消息引发芯片股抛售,三星与 SK 海力士周二在韩国下跌逾 7%,美光隔夜下跌 4%。

分析人士提醒,从发布到可盈利量产仍存在时间差。Counterpoint 数据显示,长鑫存储今年二季度 DRAM 市场份额升至 10%,去年同期为 4%。
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嘿嘿嘿
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我就知道
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